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| Körpermaterial: | Edelstahl 304L oder 316L | Oberflächenbeschaffenheit: | Elektropoliert (Ra ≤0,4μm) |
|---|---|---|---|
| Ultimativer Druck: | ≤1x10 -8 Pa | Flanschtyp: | CF-Standard (ConFlat). |
| Versiegelungsmechanismus: | OFHC-Kupferdichtung | Ausheiztemperatur: | Bis 250°C |
| Hervorheben: | UHV-Vakuumkammer,Elektropoliertes Vakuumgehäuse,Vakuumbehälter mit niedrigem Abgasverbrauch |
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Diese UHV-Elektropolierte Vakuumkammer aus Edelstahl ist speziell für Ultra-Hochvakuumanwendungen in der Halbleiterverarbeitung, Oberflächenforschung,und fortschrittliche MaterialcharakterisierungDie Kammer besteht aus kohlenstoffarmem 304L- oder 316L-Edelstahl und verfügt über eine vollständig elektropolierte Innenfläche mit einer durchschnittlichen Rauheit (Ra) von 0,4 μm oder besser.die effektive Oberfläche drastisch reduziert und die molekulare Ausgasung minimiertAlle Flansche entsprechen der CF (ConFlat) -Norm mit einer sauerstofffreien Kupferdichtung mit hoher Leitfähigkeit (OFHC), die einen zuverlässigen Betrieb bei Druck bis 1 × 10 ermöglicht-8Jede Kammer wird sorgfältig auf Helium-Leckage getestet und vor dem Versand unter Vakuum gebacken.Gewährleistung der Bereitschaft der UHV-Fahrzeuge für die kontaminierungsempfindlichsten Versuchs- und Produktionsumgebungen.
Wesentliche Merkmale| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Körpermaterial | 304L oder 316L Edelstahl |
| Innenflächenveredelung | Elektropoliert, Ra ≤ 0,4 μm |
| Flanschstandard | CF (ConFlat) mit OFHC Kupferverschlüssen |
| Der ultimative Druck | ≤ 1 × 10-8- Ich weiß. |
| Leckerkennung | Heliummassenspektrometer, ≤ 1x10- 11Schnüren3/s |
| Höchstbrenntemperatur | 250°C |
| Schweißmethode | Orbital TIG mit innerer Säuberung |
| Produktionsart | OEM / ODM |
Diese UHV-elektropolisierte Vakuumkammer bildet den kritischen Kern von Halbleiterwaferverarbeitungsanlagen, einschließlich molekularstrahl-epitaxy (MBE) -Systeme, Ionimplantationsstationen,und Plasma-verstärkte Ablagerungsreaktoren, bei denen sogar Spuren von Kontamination die Leistung und Ausbeute des Geräts beeinträchtigen könnenIn Oberflächenwissenschaftlichen Laboratorien ermöglicht die Kammer die Röntgen-Photoelektronspektroskopie (XPS), die Auger-Elektronspektroskopie (AES), dieund Scanning Tunneling Microscopy (STM) -Experimente, bei denen atomreine Oberflächen unter UHV-Bedingungen erhalten werden müssenDie Kammer eignet sich gleichermaßen für Teilchenbeschleuniger-Strahllinie-Komponenten, Synchrotronstrahlendestationen,und Raumfahrt-Qualifikationsprüfstellen, bei denen die Analyse von Restgasen und die Kontaminationskontrolle für den Einsatz kritisch sindZusätzliche Einsätze umfassen UHV-Rühnen für die Entwicklung fortschrittlicher Materialien und Dünnschichtwachstumskammern für die Herstellung von Quantengeräten.
Verpackung und QualitätssicherungNach der endgültigen Zertifizierung der Heliumleckage und dem Vakuumbackout wird jede UHV-Kammer mit trockenen Stickstoffen nachgefüllt und mit schützenden CF-Blankflanschen und Kupferdichten versiegelt.und in eine antistatische Reinraumverpackung in doppelter Tüte verpackt, bevor sie in eine mit Stickstoff gereinigte Holzfrachtkiste gelegt wirdDie Dokumentationspakete umfassen individuelle Heliumleckprüfberichte, Materialzertifikate mit Wärmenummern, Messungen der Oberflächenrauheit des Elektropoliers, Dimensionskonformitätsprotokolle,und ein vor der Lieferung vorbereitetes Backout-LogSYNVAC bietet umfassende Garantie und spezielle Anwendungstechnikunterstützung für die Systemintegration, UHV-Betriebsverfahren und langfristige Leistungswartung.
Ansprechpartner: Mr. Edison yang
Telefon: 13218150898