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| Matériau du corps: | Acier inoxydable 304L ou 316L | Finition de surface: | Électropoli (Ra ≤0,4 μm) |
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| Pression ultime: | ≤1x10 -8 Pa | Type de bride: | Norme CF (ConFlat) |
| Mécanisme de scellement: | Joint en cuivre OFHC | Température de cuisson: | Jusqu'à 250°C |
| Mettre en évidence: | Chambre à vide UHV,enceinte à vide électropolie,réservoir à vide à faible dégazage |
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Cette chambre à vide en acier inoxydable électropoli de qualité UHV est spécialement conçue pour les applications ultra-haute vide dans le traitement des semi-conducteurs, la recherche en science des surfaces et la caractérisation de matériaux avancés. Construite en acier inoxydable 304L ou 316L à faible teneur en carbone, la chambre présente une surface intérieure entièrement électropolie avec une rugosité moyenne (Ra) de 0,4 µm ou mieux, réduisant considérablement la surface effective et minimisant le dégazage moléculaire. Toutes les brides sont conformes à la norme CF (ConFlat) avec un joint en cuivre sans oxygène de haute conductivité (OFHC), permettant un fonctionnement fiable à des pressions descendant jusqu'à 1x10⁻⁸ Pa et en dessous. Chaque chambre est méticuleusement testée à l'hélium et cuite sous vide avant expédition, garantissant une préparation UHV prête à l'emploi pour les environnements expérimentaux et de production les plus sensibles à la contamination.Type de productionSurface intérieure électropolie :
La surface intérieure entière subit un processus d'électropolissage contrôlé atteignant une Ra ≤ 0,4 µm, ce qui réduit l'adsorption de vapeur d'eau, accélère le pompage vers des pressions UHV et abaisse la pression de base atteignable par rapport aux alternatives polies mécaniquement.| Norme de bride | CF (ConFlat) avec joints en cuivre OFHC |
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| Pression ultime | ≤ 1x10⁻⁸ Pa |
| Détection de fuites | Spectromètre de masse à hélium, ≤ 1x10⁻¹¹ Pa·m³/s |
| Température de cuisson maximale | 250°C |
| Méthode de soudage | TIG orbital avec purge interneType de productionOEM / ODM |
| Applications | Cette chambre à vide électropolie UHV constitue le cœur critique des équipements de traitement des plaquettes de semi-conducteurs, y compris les systèmes d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), les stations d'implantation ionique et les réacteurs de dépôt assisté par plasma où même une contamination infime peut compromettre le rendement et les performances des dispositifs. Dans les laboratoires de science des surfaces, la chambre permet des expériences de spectroscopie photoélectronique à rayons X (XPS), de spectroscopie électronique Auger (AES) et de microscopie à effet tunnel (STM) qui nécessitent des surfaces atomiquement propres maintenues sous conditions UHV. La chambre est également adaptée aux composants de ligne de faisceau d'accélérateurs de particules, aux stations d'extrémité de rayonnement synchrotron et aux installations de test de qualification spatiale où l'analyse des gaz résiduels et le contrôle de la contamination sont critiques pour la mission. Des déploiements supplémentaires comprennent des fours de recuit UHV pour le développement de matériaux avancés et des chambres de croissance de couches minces pour la fabrication de dispositifs quantiques.Emballage et assurance qualitéAprès la certification finale de fuite à l'hélium et la cuisson sous vide, chaque chambre UHV est remplie d'azote sec, scellée avec des brides obturantes CF protectrices et des joints en cuivre, et emballée en double sac dans un emballage antistatique de qualité salle blanche avant d'être placée dans une caisse en bois purgée à l'azote pour l'expédition. Les dossiers de documentation comprennent des rapports individuels de test de fuite à l'hélium, des certificats de matériaux avec numéros de lot, des mesures de rugosité de surface d'électropolissage, des enregistrements de conformité dimensionnelle et un journal de cuisson avant expédition. SYNVAC offre une couverture de garantie complète et un support d'ingénierie d'application dédié pour l'intégration des systèmes, les procédures opérationnelles UHV et la maintenance des performances à long terme. |
Personne à contacter: Mr. Edison yang
Téléphone: 13218150898