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Datos del producto:
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| Materiales: | SUS304 SUS316L | Característica: | Camisetas |
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| Resaltar: | Accesorios de vacío SUS304,accesorios de vacío SUS316L,camiseta de vacío del sistema de vacío |
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Tees ISO para sistema de vacío.son accesorios de precisión de tres puertos diseñados para dividir, combinar o redirigir el flujo de gas mientras mantienen la integridad del alto vacío desde presión atmosférica hasta 10⁻⁹ Torr. También conocidos como tes derivadas de vacío ISO o tees iguales, estos componentes cuentan con una línea principal directa con un puerto de derivación perpendicular, geometrías internas suaves y bridas ISO-K o ISO-F en los tres puertos.
Fabricadas con acero inoxidable 304L o 316L de alta calidad, las T ISO son esenciales para colectores de vacío, puertos de instrumentación, centros de distribución de gas y redes de bombeo en sistemas de vacío de mediana y gran escala. Cumplen con los estándares internacionalmente reconocidos ISO 1609, ISO 2861 y Pneurop 6606. A diferencia de los accesorios KF, que están limitados a diámetros más pequeños (hasta DN50), las T ISO están disponibles para diámetros nominales desde DN63 hasta DN630, lo que las convierte en la opción estándar para aplicaciones industriales y de investigación. Ya sea que esté agregando un manómetro, conectando un analizador de gas residual (RGA), construyendo un colector de mezcla de gas o ramificando una línea de bombeo, estas tes brindan la conductancia, flexibilidad y confiabilidad que requieren las exigentes aplicaciones de alto vacío y UHV.
Configuración:Verdadera T de tres puertos (línea principal directa con rama perpendicular)
Tipos de bridas:ISO-K (abrazadera con anillo centrador) o ISO-F (atornillada)
Tamaños de puerto:Los tres puertos del mismo tamaño (T igual) o T reductora con diámetros mixtos
Rango de vacío:Atmosférico a 1×10⁻⁹ Torr (compatible con UHV con sellos metálicos)
Diámetros Nominales (DN):DN63, DN80, DN100, DN160, DN200, DN250, DN320, DN400, DN500, DN630
Material:Acero inoxidable 304L o 316L (bajo en carbono, compatible con UHV)
Acabado de la superficie interna:Ra ≤ 0,8 µm (electropulido o pulido mecánico)
Tasa de desgasificación:< 2×10⁻⁸ Torr·L/s·cm² (después de aspirar)
Integridad de la fuga:Fuga de helio probada a < 1×10⁻⁹ mbar·L/s
Capacidad de horneado:Hasta 400°C (ISO-F con juntas metálicas)
Orientación de sucursales:90° perpendicular al eje principal (estándar)
Colectores de vacío:Redes de distribución multipuerto para bombeo y venteo.
Puertos de instrumentación:Conexión de manómetros, RGA, manómetros de iones y cuadrupolos
Líneas de introducción de gas:Admisión de gases de proceso en cámaras de deposición
Sistemas de recubrimiento a gran escala:PVD semiconductor, óptico y decorativo
Deposición de película delgada:Sputtering, evaporación y plomería del sistema ALD
Detección de fugas de helio:Creación de ramas en T para conexiones de puertos de prueba
Instrumentos analíticos:Espectrómetros de masas, herramientas de análisis de superficies.
Equipos semiconductores:Cerraduras de carga, cámaras de transferencia y módulos de proceso
Sistemas de vacío de I+D:Configuraciones experimentales flexibles que requieren múltiples puntos de acceso
Cámaras de simulación espacial:Ramas de instrumentación de sistemas de vacío térmico.
Líneas de luz de investigación:Sistemas de vacío sincrotrón y acelerador de partículas.
Sistemas delanteros:Ramificación entre bombas previas y bombas de alto vacío
Combinamos forjado de precisión, mecanizado CNC y soldadura orbital para ofrecer tees ISO que cumplen o superan los estándares internacionales de vacío. Cada T se somete a pruebas de fugas de helio, se limpia ultrasónicamente con detergentes de grado semiconductor y se coloca en una doble bolsa en un entorno de sala limpia. Tes reductoras (diferentes diámetros de rama), tipos de bridas mixtas (ISO-K e ISO-F en la misma T), orientaciones de rama personalizadas y acabados de grado UHV (listo para sello metálico, Ra ≤ 0,4 µm) están disponibles con soporte de ingeniería.
Persona de Contacto: Mr. Edison yang
Teléfono: 13218150898